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12nm工藝 英韌發(fā)布新一代PCIe 4.0主控:SSD速度飆上7GB/s

時(shí)間:2021-09-13 11:20:29
  • 來(lái)源:3DM整理
  • 作者:文樂(lè)生
  • 編輯:亂走位的奧巴馬

近年來(lái)國(guó)產(chǎn)芯片廠商在SSD主控芯片上不斷取得突破,此前英韌科技發(fā)布了多款PCIe 4.0主控芯片,包括Rainier IG5236及IG5636(企業(yè)級(jí))等,現(xiàn)在他們又推出了新一代無(wú)DRAM緩存的PCIe 4.0主控RainierQX,速度可達(dá)7GB/s。

RainierQX采用四通道PCIe Gen4接口,支持4個(gè)NAND通道,每個(gè)通道最多8個(gè)CE片選通道,全面支持NVMe1.4協(xié)議。

12nm工藝 英韌發(fā)布新一代PCIe 4.0主控:SSD速度飆上7GB/s

RainierQX還具有以下優(yōu)勢(shì):

-采用業(yè)界領(lǐng)先的技術(shù),通過(guò)獨(dú)立平層訪問(wèn),以實(shí)現(xiàn)極致高速的讀取訪問(wèn),并在有限的芯片數(shù)量的情況下,有效提高4K隨機(jī)讀取性能高達(dá)1M IOPs以上;

-順序讀取性能超過(guò)7GB/s,順序?qū)懭胄阅艹^(guò)6GB/s;

-專有ECC解決方案采用先進(jìn)的4K LDPC技術(shù),為最新的TLC和QLC提供卓越的糾錯(cuò)能力,并提供功耗感知多級(jí)解碼策略;

-超大SSD容量高達(dá)4TB。

值得一提的是,RainierQX具有增強(qiáng)的12納米FinFET設(shè)計(jì)的無(wú)DRAM架構(gòu),英韌科技董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官吳子寧博士表示:“在DRAM成本增加,PC OEM和渠道市場(chǎng)面臨巨大成本壓力的市場(chǎng)環(huán)境下,RainierQX 將成為目前無(wú)DRAM控制器的最佳解決方案。

RainierQX在提供低功耗、實(shí)現(xiàn)更低BOM成本的同時(shí),因采用業(yè)界最快的2400MT/s NAND通道接口和專有數(shù)據(jù)路徑加速器,仍可以提供與DRAM解決方案相同的峰值性能,這使得該方案明顯優(yōu)于同類產(chǎn)品中的其他解決方案。

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