臺(tái)積電正式公布2nm制程 預(yù)計(jì)2025年量產(chǎn)

臺(tái)積電在2022 年技術(shù)研討會(huì)上介紹了關(guān)于未來先進(jìn)制程的信息，N3 工藝將于 2022 年內(nèi)量產(chǎn)，后續(xù)還有 N3E、N3P、N3X 等，N2（2nm）工藝將于 2025 年量產(chǎn)。

臺(tái)積電首先介紹了 N3 的 FINFLEX，包括具有以下特性的 3-2 FIN、2-2 FIN 和 2-1 FIN 配置：

3-2 FIN – 最快的時(shí)鐘頻率和最高的性能滿足最苛刻的計(jì)算需求

2-2 FIN – Efficient Performance，性能、功率效率和密度之間的良好平衡

2-1 FIN – 超高能效、最低功耗、最低泄漏和最高密度

臺(tái)積電稱FINFLEX 擴(kuò)展了 3nm 系列半導(dǎo)體技術(shù)的產(chǎn)品性能、功率效率和密度范圍，允許芯片設(shè)計(jì)人員使用相同的設(shè)計(jì)工具集為同一芯片上的每個(gè)關(guān)鍵功能塊選擇最佳選項(xiàng)。

而在 N2 方面，臺(tái)積電稱這是其第一個(gè)使用環(huán)繞柵極晶體管 (GAAFET) 的節(jié)點(diǎn)，而非現(xiàn)在的 FinFET（鰭式場效應(yīng)晶體管）。新的制造工藝將提供全面的性能和功率優(yōu)勢。在相同功耗下，N2 比 N3速度快10~15%;相同速度下，功耗降低 25~30%。不過，與 N3E 相比，N2 僅將芯片密度提高了 1.1 倍左右。

N2 工藝帶來了兩項(xiàng)重要的創(chuàng)新：納米片晶體管（臺(tái)積電稱之為 GAAFET）和backside power rail。GAA 納米片晶體管的通道在所有四個(gè)側(cè)面都被柵極包圍，從而減少了泄漏;此外，它們的通道可以加寬以增加驅(qū)動(dòng)電流并提高性能，也可以縮小以最大限度地降低功耗和成本。為了給這些納米片晶體管提供足夠的功率，臺(tái)積電的 N2 使用 backside power rail，臺(tái)積電認(rèn)為這是在back-end-of-line (BEOL) 中對(duì)抗電阻的最佳解決方案之一。

臺(tái)積電將 N2 工藝定位于各種移動(dòng) SoC、高性能 CPU 和 GPU。具體表現(xiàn)如何，還需要等到后續(xù)測試出爐才能得知。