完爆N卡！AMD最頂級(jí)GPU核心透視：HBM秘密在此

和Tonga一比大小一目了然。因?yàn)槭且淮鶫BM，所以集成了4顆HBM顯存，每一顆都采用四層Die進(jìn)行堆疊，每個(gè)Die的容量為2Gb(256MB)，因此每顆容量為1GB、1024bit內(nèi)存控制器，總的顯存容量就是4GB、位寬4096。

不同于GDDR5是“蓋平方”，3D堆疊的HBM可以理解為“蓋樓房”。這也是整個(gè)HBM最大難點(diǎn)，即如何實(shí)現(xiàn)內(nèi)存控制體系的互聯(lián)。

HBM顯存所采用的TSV(硅穿孔)技術(shù)本質(zhì)上就是在保證結(jié)構(gòu)強(qiáng)度的前提下在芯片(硅)上直接垂直通孔。通孔過程看似簡單，但技術(shù)層面的進(jìn)展一直相當(dāng)不順利。無論存儲(chǔ)還是邏輯芯片的結(jié)構(gòu)及加工過程都相當(dāng)復(fù)雜，這注定了芯片本身的脆弱性，想要在不影響芯片強(qiáng)度以及完整性的前提下在一塊DRAM顆粒上打洞，而且是不止一個(gè)的孔洞，這件事兒的具體技術(shù)細(xì)節(jié)根本無需討論，光是想想就已經(jīng)很難了。

這種垂直互聯(lián)不僅距離更短而且延遲更低，這是HBM顯存的一大優(yōu)勢(shì)。

現(xiàn)在希望的就是除了海力士，三星也能加快量產(chǎn)HBM，明年再升級(jí)顯卡是這將成為一個(gè)更為重要的參考因素。