國(guó)產(chǎn)內(nèi)存提速 今年投產(chǎn)17nm DDR5內(nèi)存有戲
- 來(lái)源:快科技
- 作者:3DM整理
- 編輯:亂走位的奧巴馬
由于去年內(nèi)存市場(chǎng)量?jī)r(jià)齊跌,三星、美光及SK海力士三大內(nèi)存巨頭今年都要改變策略,不再打價(jià)格戰(zhàn),要以利潤(rùn)為優(yōu)先目標(biāo),而打破國(guó)外壟斷的只能靠國(guó)內(nèi)的內(nèi)存芯片廠商了,合肥長(zhǎng)鑫被曝今年要投產(chǎn)17nm工藝的DDR5內(nèi)存芯片。
據(jù)企查查信息,主攻內(nèi)存芯片的合肥長(zhǎng)鑫母公司睿力集成發(fā)生工商變更,新增股東阿里巴巴(中國(guó))網(wǎng)絡(luò)技術(shù)有限公司、中國(guó)東方資產(chǎn)管理股份有限公司等19位股東,持股比例均未披露。
自本次變更完成后,睿力集成的注冊(cè)資本增加至485.8億元人民幣。而睿力集成上次增資完成后的注冊(cè)資本為401.9億元,以此計(jì)算睿力集成本次增資規(guī)模為83.9億元,增幅為20.88%。
獲得更多資金之后,國(guó)產(chǎn)內(nèi)存今年有望提速,繼續(xù)提升產(chǎn)能,此前消息稱長(zhǎng)鑫在2020年、2021年分別實(shí)現(xiàn)了4.5萬(wàn)片晶圓/月、6萬(wàn)片晶圓/月的目標(biāo),2022年的產(chǎn)能目標(biāo)是12萬(wàn)片晶圓/月,未來(lái)的產(chǎn)能目標(biāo)是30萬(wàn)片晶圓/月。
除了產(chǎn)能擴(kuò)增,國(guó)產(chǎn)內(nèi)存的技術(shù)水平也在追趕,目前長(zhǎng)鑫量產(chǎn)的主要是第一代10nm級(jí)別工藝10G1,實(shí)際水平應(yīng)該是19nm,主要以DDR4、LPDDR4為主。
2020年報(bào)道中提到研發(fā)17nm及以下工藝的DDR5、LPDDR5等內(nèi)存,這是10G3代工藝,未來(lái)還有10G5工藝,除了DDR5、LPDDR5之外還有GDDR6顯存。


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