美光在《芯片法案》獲得61.4億美元補貼 未來約40%的DRAM芯片生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到本土

美國商務(wù)部宣布，已經(jīng)與美光簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄（PMT），將根據(jù)《芯片法案》提供約61.4億美元的直接撥款，另外還有75億美元的貸款，以提高美國在尖端存儲半導(dǎo)體生產(chǎn)方面的競爭力。這些投資將推進美光的計劃，即未來20年內(nèi)將約40%的DRAM芯片生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到美國本土。

美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示，這是美國半導(dǎo)體制造的歷史性時刻，而美光領(lǐng)先的內(nèi)存是滿足人工智能日益增長需求的基礎(chǔ)，這將創(chuàng)造許多高科技就業(yè)機會。美光擬議的投資將分布在紐約州和愛達荷州，以在美國創(chuàng)建一個強大的領(lǐng)先DRAM芯片生態(tài)系統(tǒng)：

紐約州克萊 - 計劃里四座晶圓廠的前兩座，屬于DRAM工廠，是美光未來20年內(nèi)在紐約投資約1000億美元長期投資計劃的第一步。每座晶圓廠擁有600,000平方英尺的潔凈室，四個設(shè)施的潔凈室空間總計240萬平方英尺，這是美國有史以來宣布的最大潔凈室空間，面積相當于近40個足球場。

愛達荷州博伊西 - 投資250億美元建造一座大型晶圓廠，潔凈室約600,000平方英尺，專注于生產(chǎn)領(lǐng)先的DRAM芯片。這與美光的研發(fā)設(shè)施位于同一地點，以提高其研發(fā)和制造業(yè)務(wù)的效率，減少技術(shù)轉(zhuǎn)讓的滯后，并縮短尖端內(nèi)存產(chǎn)品的上市時間。

美光承諾，未來六年內(nèi)斥資500億美元建造前三座晶圓廠，預(yù)計將在紐約州創(chuàng)造9000多個制造和設(shè)施工作崗位以及4500個建筑工作崗位，并在愛達荷州創(chuàng)造2000多個制造和設(shè)施工作崗位以及4500個建筑工作崗位。