Intel、美光宣布全球最先進(jìn)20nm閃存工藝

雖然25nm NAND工藝進(jìn)展不順，但技術(shù)前進(jìn)的腳步永遠(yuǎn)不會(huì)停歇，Intel、美光今天又聯(lián)合宣布了最先進(jìn)的20nm工藝。

20nm工藝依然由Intel、美光聯(lián)合投資的IM Flash Technologies(IMFT)負(fù)責(zé)制造，可以生產(chǎn)出容量達(dá)64Gb(或者說8GB)的MLC NAND閃存顆粒，而且核心面積僅僅118平方毫米，相比25nm 8GB NAND閃存減小30-40％。

Intel宣稱，閃存工藝從25nm進(jìn)步到20nm之后，所能提供的容量可比現(xiàn)有34nm工藝增加大約50％，同時(shí)20nm工藝閃存顆粒的性能和耐用性仍會(huì)維持在與25nm類似的水平上。

IMFT 20nm 8GB NAND閃存顆粒已經(jīng)試產(chǎn)，預(yù)計(jì)2011年下半年投入量產(chǎn)。屆時(shí)，Intel、美光將會(huì)一方面拿出容量翻番的16GB顆粒，另一方面公布面積跟一張郵票差不多大小的128GB固態(tài)硬盤。