三星晶圓代工尋求新突破 將擴(kuò)大成熟制程節(jié)點(diǎn)產(chǎn)能

三星在2021年高調(diào)地進(jìn)行半導(dǎo)體擴(kuò)張計(jì)劃，表示未來十年將投資1515億美元用于晶圓廠的建設(shè)，并在3nm制程節(jié)點(diǎn)引入了全新的GAAFET全環(huán)繞柵極晶體管工藝，計(jì)劃2022年上半年量產(chǎn)第一代3nm工藝，2023年量產(chǎn)第二代3nm工藝。三星希望通過提升產(chǎn)能，加快工藝技術(shù)的研發(fā)，拉近與領(lǐng)頭羊臺(tái)積電（TSMC）之間的距離。

一般討論三星半導(dǎo)體制造技術(shù)的時(shí)候，都會(huì)將目光聚焦在先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn)上，比如3nm/4nm/5nm工藝。事實(shí)上，三星和臺(tái)積電的差距不止在先進(jìn)工藝技術(shù)上，還有包括成熟制程節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能和相關(guān)供應(yīng)鏈的配套上。據(jù)Business Korea報(bào)道，三星正在考慮建立自己的芯片測(cè)試和封裝廠，以便更好地為合作伙伴提供全方位的服務(wù)。三星還打算改進(jìn)舊工藝來提高性能和成本競(jìng)爭(zhēng)力，同時(shí)擴(kuò)展成熟制程節(jié)點(diǎn)的產(chǎn)能，用于制造CMOS圖像傳感器（CIS）等芯片。

去年三星在“Samsung Foundry Forum 2021”論壇活動(dòng)上，介紹了用于CIS、DDI、MCU的17LPV工藝，即Low Power Value的17nm工藝。作為28nm的衍生工藝，在原工藝基礎(chǔ)上加入了14nm工藝使用的FinFET工藝技術(shù)，以相對(duì)低成本享受到新的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。與原有的28nm工藝相比，芯片面積可減少43%，性能提高39%或功耗降低49%。

傳聞三星計(jì)劃到2026年的時(shí)候，其晶圓代工業(yè)務(wù)的客戶數(shù)量達(dá)到300家以上。相比之下，臺(tái)積電2022年的客戶數(shù)量預(yù)計(jì)將有500家以上，而三星僅突破100家，兩者相差了五倍。目前在臺(tái)積電的營收里，先進(jìn)工藝和成熟工藝大概各占一半，三星則是先進(jìn)工藝占據(jù)了大部分營收。此外，三星現(xiàn)階段在汽車和人工智能領(lǐng)域的芯片制造上，仍處于起步階段，這將是未來其晶圓代工是否能繼續(xù)壯大的關(guān)鍵。