三星將在日本建造先進半導體封裝研發(fā)基地 投資總額達到400億日元

近兩年來，封裝和測試設施越來越受到重視，技術層面的研究也變得更加深入。為了適應新一代芯片的制造要求，不少晶圓代工廠都在加快配套的先進設施建設，并加大相關技術的研究，投資規(guī)模也越來越大。

據(jù)Business Korea報道，三星計劃在日本橫濱建造先進半導體封裝研發(fā)基地，一方面期待未來通過3D堆疊提高芯片性能，另一方面會將研究重點放在人工智能和第5代移動通信網(wǎng)絡的半導體封裝處理技術上。

三星之所以選擇在日本打造先進封裝研究中心，與供應鏈的合作是關鍵。目前三星正在與日本的材料及設備企業(yè)共同開發(fā)先進半導體技術，其中包括世界第四大半導體設備制造商東京電子（TEL）以及佳能、TDK和村田制作所等知名公司。此外，三星還計劃至2027年底，在當?shù)仄赣?00多名半導體專家。

據(jù)了解，三星最初計劃投資300億日元，不過在日本政府的積極勸說及加大補助的承諾下，三星將投資總額提高至400億日元，其中政府補貼占了一半，達到了200億日元。日本政府希望以三星的投資為契機，吸引更多國外的投資，提高自身半導體產(chǎn)業(yè)的競爭力。