傳統(tǒng)晶體管的極限！臺(tái)積電三代3nm已量產(chǎn) 四代馬上來

除了發(fā)展N2、A16、A14等采用GAAFET全環(huán)繞晶體管的全新工藝，臺(tái)積電還在持續(xù)挖掘傳統(tǒng)FinFET立體晶體管的極限，最后一代用它的N3系列工藝節(jié)點(diǎn)仍在不斷演進(jìn)。

在美國舉辦的北美技術(shù)論壇2025上，臺(tái)積電最新宣布，3nm級工藝的第三代N3P已經(jīng)在2024年第四季度投入量產(chǎn)，第四代N3X則會(huì)在今年下半年投產(chǎn)。

N3P就是第二代N3E的升級版，面向需要高性能的客戶端、數(shù)據(jù)中心應(yīng)用，同時(shí)保持IP與設(shè)計(jì)兼容。

按照官方數(shù)據(jù)，N3P同等功耗下的性能可再提升約5%，而同等性能下的功耗可再降低5-10%，另外晶體管密度提升4%，尤其是SRAM縮放的提升較為明顯。

蘋果M3/M4、高通驍龍8至尊版、聯(lián)發(fā)科天璣9400/9400+等都用的N3E工藝，不知道今年的升級換代會(huì)不會(huì)都上N3P?還是直奔N2?

N3X則是N3P的再次升級版，可繼續(xù)將同等功耗性能提升5%，同等性能功耗降低7%。

更關(guān)鍵的是，N3X支持最高達(dá)1.2V的電壓，從而將頻率、性能挖掘到極致，但代價(jià)就是漏電率驟然增大最多250%，因此芯片設(shè)計(jì)要非常慎重。

根據(jù)路線圖，臺(tái)積電N3明年還會(huì)有N3A、N3C兩個(gè)版本，但未做具體介紹，從定位看N3C是超低成本，定位很低。

PS：臺(tái)積電N3其實(shí)還有個(gè)特殊版本N3B，但性能和成本都不算太好，大客戶中只有Intel一家在用，就是Lunar Lake、Arrow Lake，妥妥的大冤種。