臺積電：我能造1000W功耗巨型芯片！性能飆升40倍

如今的高端計算芯片越來越龐大，臺積電也在想盡辦法應(yīng)對，如今正在深入推進CoWoS封裝技術(shù)，號稱可以打造面積接近8000平方毫米、功耗1000W級別的巨型芯片，而性能可比標(biāo)準(zhǔn)處理器高出足足40倍。

目前，臺積電CoWoS封裝芯片的中介層面積最大可以做到2831平方毫米，是臺積電光罩尺寸極限的大約3.3倍——EUV極紫外光刻下的光罩最大可以做到858平方毫米，臺積電用的是830平方毫米。

NVIDIA B200、AMD MI300X等芯片，用的都是這種封裝，將大型計算模塊和多個HBM內(nèi)存芯片整合在一起。

明年或稍晚些時候，臺積電會推出下一代CoWoS-L封裝技術(shù)，中介層面積可以做到4719平方毫米，是光罩極限的大約5.5倍，同時需要10000平方毫米(100x100毫米)的大型基板。

它可以整合最多12顆HBM內(nèi)存，包括下一代HBM4。

這還不算完，臺積電還計劃進一步將中介層做到7885平方毫米，也就是光照極限的約9.5倍，并需要18000平方毫米的基板，從而封裝最多4顆計算芯片、12顆HBM內(nèi)存，以及其他IP。

要知道，這已經(jīng)超過了一個標(biāo)準(zhǔn)的CD光盤盒(一般142×125毫米)!

仍然沒完，臺積電還在繼續(xù)研究SoW-X晶圓級封裝技術(shù)，目前只有Cerabras、特斯拉使用。

如此巨型芯片除了需要復(fù)雜的封裝技術(shù)，更會帶來高功耗、高發(fā)熱的挑戰(zhàn)，臺積電預(yù)計能達(dá)到1000W級別。

為此，臺積電計劃在CoWoS-L封裝內(nèi)的RDL中介層上，直接集成一整顆電源管理IC，從而縮短供電距離，減少有源IC數(shù)量，降低寄生電阻，改進系統(tǒng)級供電效率。

這顆電源管理IC會使用臺積電N16工藝、TSV硅通孔技術(shù)制造。

散熱方面，直觸式液冷、浸沒式液冷，都是必須要考慮的。

另外，OAM 2.0模塊形態(tài)的尺寸為102×165毫米，100×100毫米基板已經(jīng)接近極限，120×150毫米就超過了，因此需要行業(yè)同步制定新的OAM形態(tài)標(biāo)準(zhǔn)。