另辟蹊徑！不用EUV光刻機(jī)也能做出5nm

大家都知道，當(dāng)下先進(jìn)工藝（尤其是7nm以下），基本都依賴ASML的EUV極紫外光刻機(jī)。

按照傳統(tǒng)認(rèn)知，沒(méi)有EUV就造不出先進(jìn)工藝，那有沒(méi)有其他辦法呢。

前段時(shí)間，世界上就有一種“特殊”5nm的消息傳出，它是怎么來(lái)的呢？

有報(bào)道稱，這種5nm采用了完全不一樣的技術(shù)路線，避開(kāi)了EUV光刻機(jī)的依賴，采用一種步進(jìn)掃描光刻機(jī)，通過(guò)多重曝光實(shí)現(xiàn)5nm線寬。

光刻機(jī)是整個(gè)芯片制造過(guò)程中最為核心的設(shè)備，主要功能是將掩模上的電路圖案通過(guò)光學(xué)系統(tǒng)投射到涂有光刻膠的硅片上，在光刻膠上形成精細(xì)的圖案，就像 “畫工” 在硅片上繪制電路圖，芯片的制程由光刻機(jī)決定。

另外，刻蝕機(jī)采用某5nm刻蝕設(shè)備，精度達(dá)到原子級(jí)，號(hào)稱刻蝕速率比以往水平提升15%。

在光刻完成后登場(chǎng)，刻蝕機(jī)的主要作用是按照光刻機(jī)標(biāo)注好的圖案，通過(guò)化學(xué)或物理作用，將硅片上多余的部分，如未被光刻膠保護(hù)的材料腐蝕掉，留下需要的部分，以形成半導(dǎo)體器件和連接的圖案，類似于 “雕工”。

不僅如此，量測(cè)設(shè)備也采用了新的電子束量測(cè)系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)nm級(jí)缺陷檢測(cè)的替代。

也就是說(shuō)，這種“另辟蹊徑”的方法，帶動(dòng)了半導(dǎo)體設(shè)備、材料、設(shè)計(jì)工具等全產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。

說(shuō)不定，未來(lái)這種辦法，也能造出3nm，大家不妨拭目以待。