三星已在開發(fā)DDR6內(nèi)存 標(biāo)準(zhǔn)頻率能到12800Mbps

目前DDR5才隨Intel的12代酷睿Alder Lake剛上市沒多久，但三星已經(jīng)在表示他們已經(jīng)在開發(fā)下一代的DDR6內(nèi)存了，在一年一代的技術(shù)日活動(dòng)上，三星透露了DDR6、GDDR6+、GDDR7和HBM3等下一代內(nèi)存技術(shù)的信息。

Computerbase已經(jīng)從三星那里獲得了新一代內(nèi)存的各種信息，目前DDR5還處于生命周期的初期，頻率普遍不是很高，不過隨著時(shí)間的推移頻率是會(huì)慢慢上去的，三星認(rèn)為在不久的將來DDR5的頻率就會(huì)提升到JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的6400Mbps，而超頻條的頻率可達(dá)到8400Mbps，其實(shí)現(xiàn)在就已經(jīng)有廠商把DDR5內(nèi)存的頻率提升到7000Mbps了。

而下一代的DDR6已經(jīng)在早期開發(fā)階段，未來用于取代DDR5，當(dāng)然預(yù)計(jì)至少在2025到2026年后才會(huì)推出，DDR4內(nèi)存至少用了6年，而DDR5到DDR6估計(jì)也會(huì)差不多的時(shí)間。

三星認(rèn)為未來的DDR6內(nèi)存的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)會(huì)達(dá)到12800Mbps，而超頻條的頻率可能會(huì)到17000Mbps，甚至可能會(huì)突破20000Mbps，目前DDR6的標(biāo)準(zhǔn)各家目前還在一同討論中，預(yù)計(jì)在2024年完成。每個(gè)模組DDR6內(nèi)存的通道數(shù)和現(xiàn)在的DDR5相比再次翻倍，變成16bit*4，bank數(shù)量增加到最多64個(gè)。

顯存方面，三星透露了速度更快的GDDR6+計(jì)劃，用于取代現(xiàn)有的GDDR6，三星計(jì)劃在本月采用1znm開始試產(chǎn)GDDR6+，它的頻率能到24Gbps，并會(huì)成為下一代GPU的配置，如果真能達(dá)到此頻率的話擁有320/352/384bit顯存位寬的顯卡顯存帶寬就能超過1TB/s，而256bit的GPU的帶寬也能到768GB/s。

至于新一代的GDDR7顯存，預(yù)計(jì)可提供高達(dá)32Gbps的傳輸速度，并且會(huì)支持實(shí)時(shí)錯(cuò)誤保護(hù)技術(shù)，但三星并沒有對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)說明。而HBM3內(nèi)存，三星計(jì)劃會(huì)在2022年第二季度開始投產(chǎn)，并表示速度會(huì)是800GB/s，將會(huì)用在未來的HPC和數(shù)據(jù)中心GPU/CPU系統(tǒng)中。